Weltweit erster 4-GBit-DDR3-Chip von Samsung

Samsung hat den weltweit ersten DDR3-Speicherchip mit einer Kapazität von 4 GBit vorgestellt. Damit ist es möglich, dass man ein Speichermodul bis zu 32 GByte bestücken kann. Die Bausteine sind 50-Nanometer-Verfahren gefertigt. Die neuen Halbleisterbausteine benötigen statt der üblichen 1,5 Volt lediglich 1,35 Volt. Laut Aussage von Samsung verbraucht ein 16-GByte-Modul mit den neuen 4-GBit-Chips 40 Prozent weniger Strom als ein gleich großer Speicherriegel mit 2-GBit-Chips.  Der maximale Datendurchsatz liegt bei 1,6 GBit/s und dies wäre einer  Steigerung von 20 Prozent gegenüber herkömmlichen DDR3-Modulen. Die neuen Chips benötigen statt der üblichen 1,5 Volt lediglich 1,35 Volt. Laut Samsung verbraucht ein 16-GByte-Modul mit den neuen 4-GBit-Chips 40 Prozent weniger Strom als ein gleich großer Speicherriegel mit 2-GBit-Chips, weil bei gleicher Kapazität nur noch halb so viele Chips mit Strom versorgt werden muss.

Kevin Lee, Vizepräsident für technisches Marketing bei Samsung sagte, dass durch die Entwicklung von der neuen 4-GBit-DDR3-Chips wird es eine deutliche Kostensenkungen im Server- und gesamten Computer-Markt geben

Laut Marktforschungsunternehmen „IDC” wird erwartet das sich der 4-GBit im Laufe der nächsten drei Jahre durchsetzen wird. Der Marktanteil soll 2009 auf 29 Prozent und bis 2011 auf 75 Prozent steigen.